CMOS工艺流程与MOS电路版图举例资料.ppt

CMOS工艺流程与MOS电路幅员举例 ; 1) 简化N阱CMOS工艺演示;氧化层生长;曝光;氧化层的刻蚀;N阱注入;形成N阱;氮化硅的刻蚀;场氧的生长;去除氮化硅;重新生长二氧化硅〔栅氧〕;生长多晶硅;刻蚀多晶硅;刻蚀多晶硅;P+离子注入;N+离子注入;生长磷硅玻璃PSG;光刻接触孔;刻铝;刻铝;光刻8，刻压焊孔掩膜版;2) 清华工艺录像;初始氧化;光刻1，刻N阱;N阱形成;Si3N4淀积;光刻2，刻有源区，场区硼离子注入;场氧1;光刻3;场氧2;栅氧化，开启电压调整;多晶硅淀积;光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管;光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推动，形成PMOS