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本发明提供了一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法，包括重掺杂N型半导体衬底、漏极、N型漂移区、P型阱区、N型半导体源区、P型半导体接触区、源极、槽栅结构；与传统屏蔽栅沟槽MOSFET相比，N型漂移区中的掺杂离子为浓度渐变的N型掺杂离子，使得源极附近N型漂移区的掺杂浓度相对较低，在耗尽扩散过程中，槽栅结构外的耗尽层向漏极扩大，有效地降低了器件的耗尽层电容，从而大大降低了栅漏电容；P型半导体接触区与N型半导体源区共同引出源极；槽栅结构的上半部分为控制栅，槽栅结构的下半部分为屏蔽栅，在控制栅内形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864535 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310775567.5
(22)申请日 2023.06.28
(71)申请人 湖南楚微半导体科技有限公司
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