In2O3及SiC基稀磁半导体薄膜的局域结构和磁、输运性能研究的中期报告.docxVIP

In2O3及SiC基稀磁半导体薄膜的局域结构和磁、输运性能研究的中期报告 本研究旨在研究In2O3及SiC基稀磁半导体薄膜的局域结构和磁、输运性能。在前期的实验中，我们成功地制备了In2O3和SiC稀磁半导体薄膜，并利用X射线吸收和X射线磁圆二色性技术研究了其局域结构。 通过X射线吸收和X射线磁圆二色性的实验，我们发现In2O3中存在着特征性较强的O2p自旋极化现象，而SiC中则呈现出C2p自旋极化现象。这表明In2O3和SiC薄膜中的轨道电子参与了局域磁矩的形成，并出现了自旋劈裂现象。通过进一步的计算分析，我们发现In2O3和SiC薄膜中的局域磁矩主要来自错位缺陷和杂质离子。 在磁性方面，我们利用X射线磁圆二色性实验研究了In2O3和SiC薄膜的磁性质。实验结果表明，In2O3和SiC薄膜均表现出弱的磁性行为，并且这种磁性与缺陷相关。进一步的分析表明，In2O3和SiC中的磁性主要来自错位缺陷和杂质离子。 在输运性能方面，我们利用电学性质的实验研究了In2O3和SiC薄膜的输运性能。实验结果表明，In2O3和SiC薄膜均表现出半导体的性质，并且这种半导体性质与缺陷有关。进一步的分析表明，In2O3和SiC中的电学性质主要来自缺陷态和杂质能级。 总之，本研究利用X射线吸收和X射线磁圆二色性技术研究了In2O3及SiC基稀磁半导体薄膜的局域结构和磁、输运性能。实验结果表明，这些性质主要与缺陷和杂质离子相关。这些结果在稀磁半导体薄膜的制备和应用方面具有重要意义。未来，我们将进一步研究这些材料的磁、光和电学性质。