新型二维半导体材料——黑磷...pptVIP

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2023-10-18 发布于北京
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新型二维半导体材料——黑磷...ppt

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新型二维半导体材料——黑磷二维材料石墨烯MoS2黑磷黑磷的结构磷单质红磷白磷黑磷黑磷的制备高温高压法将白磷在12000大气压下加热到200摄氏度，可得到片状黑磷高能球磨法对红磷或白磷进行高能球磨，可得到黑磷粉末金属催化法红磷在部分金属（如：Au、Sn等）的催化下，加热可转化为黑磷黑磷的半导体性质计算结果：单层黑磷的禁带宽度：~2.5 eV层数增加，带隙降低块状黑磷的禁带宽度：0.3 eV 黑磷 vs MoS2MoS2块体是间接带隙的半导体（1.2 eV）单层时候可以变成直接带隙的半导体（1.8 eV）通常做成n型半导体黑磷无论多少层，都是直接带隙半导体，带隙随着层数减少而增加可做成p型或n型半导体黑磷的应用作为锂离子电池的负极材料Electrochemical Activity of Black Phosphorus as an Anode Material for Lithium-Ion BatteriesJ. Phys. Chem. C 2012, 116, 14772?14779 黑磷的应用Black Phosphorus and its Composite for Lithium Rechargeable BatteriesAdv. Mater. 2007, 19, 2465–2468Graphite: 372 mA·h/g 黑磷烯的制备黑磷烯，即单层或多层黑磷（类似于石墨烯）石墨烯机械剥离CVD氧化石墨还原化学合成等黑磷烯目前只有机械剥离黑磷烯的应用场效应晶体管Black phosphorus field-effect transistorsNature Nanotechnology红磷黑磷表面有一层SiO2的硅基片沉积金属实验显示，当黑磷厚度小于7.5纳米时，其在室温下可以得到可靠的晶体管性能，其漏电流的调制幅度在10万量级，电流-电压特征曲线展现出良好的电流饱和效应。晶体管的电荷载流子迁移率还呈现出对厚度的依赖性，当二维黑磷材料厚度在10纳米时，获得最高的迁移率值大约1000平方厘米每伏每秒。这些性能表明，二维黑磷场效应晶体管在纳米电子器件应用方面具有极大的潜力。单层黑磷烯的制备Plasma-assisted fabrication of monolayer phosphorene and its Raman characterization黑磷晶体多层黑磷烯单层黑磷烯发展前景1、纳米电子和光电应用2、单层黑磷烯的制备与研究