输出峰值功率1kW的晶体管射频放大器.docxVIP

输出峰值功率IkW的晶体管射频放大器 引言 2008年射频功率晶体管取得明显进展，以硅材料为主的双极和CMOS工艺 都有突破性进展，特别是应用在L波段的场效应晶体管，输出峰值功率1000W 的集成电路就有多种型号可供选择，为构建雷达、航空电子应用的KW级固体放 大器提供方便。而在十年前，半导体业只能供应峰值功率100W的射频晶体管， 为了获得1000W的峰值功率，末级放大器的驱动级需要采用功率分配器，由10 个功率晶体管构成5组独立的推挽电路，再经功率合成器合成额定的输出功 率。由此可知，相应的供电电源、电路板的占用面积、散热等问题都有一定难 题，整个输出模块的成本随之增加。设备的可靠性却不高，因为末级功率放大 器的器件、元件数的增加，导致故障率变坏。总的来说，峰值KW级的射频固体 放大器的性能价格比还有待提高。 进入2000年后，集成电路的材料、工艺、设计、测量、封装各方面出现许 多创新，例如材料方面Si的晶圆从150mm扩大到800mm,单位缺陷亦随着降低; 工艺方面的离子注入、扩散外延、金属布线的可靠性提高，使器件线宽从l?m 缩小到60nm以下，设计自动化覆盖从生产链的前段到后段;测量手段更加完 善，电学参数可在晶圆级上实施;多芯片三维互连封装代替晶圆级颗片互连或多 芯片电路板级互连等等，不但促进集成电路的发展，对射频功率晶体管的提高 同样有效。 近年来功率晶体管参数测量的