原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及存储芯片技术领域，公开了一种存储芯片的电阻补偿方法、装置、设备及存储介质，用于提高存储芯片的电阻补偿准确率。方法包括：采集目标存储芯片的工作温度数据和电阻值数据；根据工作温度数据和电阻值数据构建温度与电阻变化模型；根据温度与电阻变化模型生成第一电阻补偿策略；获取实时温度数据并根据第一电阻补偿策略生成电阻补偿信号；基于电阻补偿信号对目标存储芯片进行电阻补偿，并获取电路延迟数据以及目标存储芯片的芯片能耗数据；根据电路延迟数据和芯片能耗数据进行补偿参数优化，生成第二电阻补偿策略；对第二电阻补
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116882301 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202311126615.4
(22)申请日 2023.09.04
(71)申请人 联和存储科技 （
文档评论（0）