一种高阶曲率校正带隙基准电路.pdfVIP

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2023-10-14 发布于四川
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一种高阶曲率校正带隙基准电路.pdf

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本发明涉及带隙基准电路技术领域，具体涉及一种高阶曲率校正带隙基准电路，本发明基于CMOS结构的电流模带隙基准电路提出了一种新的低温漂带隙基准电路。根据VEB与温度的高阶非线性关系，采用一对工作在亚阈值区的MOS管得到了近似于VEB且与VEB呈超越方程关系的负温度系数电压，该负温度系数电压不存在二阶温度项，采用高阶非线性电流对其三阶温度特性进行补偿后得到了更低温度系数的基准电压。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116880641 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202310874734.1 (22)申请日 2023.07.17 (71)申请人西安矽源半导体有限公司地址 7