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- 2023-10-14 发布于四川
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本实用新型涉及一种多芯片大容量高集成封装结构,包含基板、元器件、控制器、垫片、内存芯片和闪存芯片;元器件焊接在基板上,控制器通过底部填胶倒装在基板上,垫片通过DAF胶膜贴合在基板上;内存芯片有多层,多层内存芯片通过DAF胶膜依次阶梯堆叠在基板上,最上层的内存芯片的顶面与垫片的顶面齐平;闪存芯片有多层,多层闪存芯片通过DAF胶膜依次阶梯堆叠在垫片和最上层的内存芯片上;本方案将多颗内存芯片堆叠在基板上,并在基板上设置与多颗内存芯片等高的垫片,使多层闪存芯片可以直接堆叠在垫片和内存芯片上,以此减少存储
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219832656 U
(45)授权公告日 2023.10.13
(21)申请号 202320077606.X
(22)申请日 2023.01.09
(73)专利权人 太极半导体(苏州)有限公司
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