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本申请属于半导体技术领域，具体为一种VCSEL芯片的制备方法，包括形成半导体的外延结构，且所述外延结构自下而上依次包括衬底层、N‑DBR层、有源区、P‑DBR层以及高掺杂层；在所述高掺杂层上沉积形成用以保护外延结构不受环境中水汽影响的钝化层；蚀刻部分钝化层以裸露出部分的高掺杂层，然后再沉积P型电接触层，所述P型电接触层形成电导通图案；氧化所述外延结构以形成出光孔；对外延结构进行研磨减薄，然后在衬底层底部沉积形成N型电接触层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116885558 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310672523.X
(22)申请日 2023.06.08
(71)申请人 浙江睿熙科技有限公司
地址 31
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