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本发明公开了一种闪存测试的筛选方法，包括：步骤一、按第一数据图形进行写入，包括：在各存储片中，同一行各存储位的数据都相同，相邻两行的数据相反。同一行中，相邻两列存储片的存储的数据相反。步骤二、进行短路缺陷测试，包括：步骤21、选定需要进行测试的两根位线以及存储片。步骤22、在第一选定存储片中选择存储数据为0的行作为选定行。步骤23、在第一选定存储片中选定用于读取的选定存储位，选定存储位为靠近第二位线一侧。步骤24、对选定存储位进行读取，将读取放大时间设置为有短路缺陷时较大的上拉时间和无短路缺陷是
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116884459 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310952329.7
(22)申请日 2023.07.31
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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