4.7 多能谷散射 耿氏效应（雨课堂课件）.pptVIP

§4.7 多能谷散射 耿氏效应（Guan effect） 耿氏效应 对耿氏效应的解释： 1、多能谷散射 体内负微分电导。 2、高场畴区及耿氏振荡 （略） 1964年克罗默（Kroemer）解决了耿氏效应的理论问题并称为RWH机构。 耿氏效应: 1963年耿氏发现。n-type GaAs 两端加电压，当半导体内电场超过3×103 V/cm时，半导体内的电流便以很高的频率振荡，振荡频率约为0.47×109 ~ 6.5×109 Hz，这个效应称为Guan effect。 1、多能谷散射 体内负微分电导 多能谷散射(解释耿氏效应的理论基础) GaAs的能带结构 ： 两个能谷：Γ-能谷1、L-能谷2(卫星谷) 能谷1： 能谷2： 温度不太高，电场不太大时：导带电子大部分位于能谷1。 电场增加，电子向能谷2转移—发生能谷间的散射。 体内负微分电导 E在3×103 ~ 2×104 V/cm时，vd随E增加而减小，出现微分负电导区，迁移率为负值。 1、多能谷散射 体内负微分电导 为什么出现微分负电导？ 1、多能谷散射 体内负微分电导 具体计算： 能谷1中的电子浓度n1，能谷2中的电子浓度n2，n = n1+n2。 平均迁移率 E E1时，n1 ≈ n，n2≈0，vd=μ1E；E E2时，n1≈0，n2≈n，vd=μ2E；E1 E E2时，随着E增加