4.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系（雨课堂课件）.pptVIP

在轻补偿或非补偿材料的情形下，利用实验结果可以进行电阻率与杂质浓度的换算。 杂质浓度 电阻率大小 材料越纯，电阻率越高。 对于高度补偿材料的情形，电阻率反映不出杂质含量。因为高度补偿材料中，载流子浓度决定于施主和受主杂质浓度 (二) 高度补偿材料的情形 之差，载流子浓度很小，例如，对于高度补偿的n型半导体， 很小，电阻率很高。但这是假象，并不真正说明材料很纯，而是因为这种材料杂质很多 (ND + NA)，迁移率很小，因而导致电阻率很大。这种半导体是不能用于制造器件的。 二、电阻率和温度的关系(杂质浓度保持不变) 载流子浓度 迁移率 杂质浓度 温度 　在“一” 中讨论了温度保持不变情况下，电阻率和杂质浓度的关系。 　下面讨论杂质浓度保持不变情况下，电阻率和温度的关系。 (一) 本征半导体材料 电阻率决定于本征载流子浓度ni 和迁移率。 因此本征半导体电阻率只与温度有关且随温度上升而迅速降低，这是半导体区别于金属的重要特征。 本征载流子浓度只与温度有关并随温度迅速增加 对于本征半导体，Ni = 0，迁移率只与温度有关。 载流子浓度 迁移率 杂质电离 本征激发 电离杂质散射 晶格振动散射 (二) 杂质半导体材料 电阻率随温度的变化关系要复杂些。如右图： 下面以一定杂质浓度的n型硅样品为例，说明电阻率和温度的关系。 温度 n型硅中电子浓度与温度