硅稳压二极管稳压电路课件.pptxVIP

硅稳压二极管稳压电路 16.2.1 硅稳压二极管稳压电路的原理硅稳压二极管稳压电路的电路图如图16.02所示。 它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的，由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。图16.02 硅稳压二极管稳压电路 (1) 当输入电压变化时如何稳压根据电路图可知 输入电压VI的增加，必然引起VO的增加，即VZ增加，从而使IZ增加，IR增加，使VR增加，从而使输出电压VO减小。这一稳压过程可概括如下： 这里VO减小应理解为由于输入电压VI的增加，在稳压二极管的调节下，使VO的增加没有那么大而已。VO还是要增加一点的，这是一个有差调节系统。VI↑→VO↑→VZ↑→IZ↑→IR↑→VR↑→VO↓图16.02 硅稳压二极管稳压电路 (2) 当负载电流变化时如何稳压 负载电流IL的增加，必然引起IR的增加，即VR增加，从而使VZ=VO减小，IZ减小。IZ的减小必然使IR减小，VR减小，从而使输出电压VO增加。这一稳压过程可概括如下： IL↑→IR↑→VR↑→VZ↓（VO↓）→IZ↓→IR↓→VR↓→VO↑ 16.2.2稳压电阻的计算稳压二极管的动态电阻越小，稳压电阻R越大，稳压性能越好。稳压电阻 R 的作用将稳压二极管电流的变化转换为电压的变化，从而起到调节作用，同时R也是限流电阻。 显然R