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- 2023-10-19 发布于山东
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场效应半导体三极管
场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 从场效应三极管的结构来划分,它有两大类。 1. 结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) 2. 绝缘栅型场效应三极管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
N沟道增强型MOS管的结构示意图和符号见图 02.13。其中:D ( Drain )为漏极,相当于集电极C;G ( Gate )为栅极,相当于基极B ; S ( Source ) 为源极,相当于发射极E。2.2.1 绝缘栅场效应三极管的工作原理 绝缘栅型场效应管MOSFET ( Metal Oxide
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