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一种纳米线晶体管包括与非掺杂沟道区电耦合的非掺杂源极和漏极区。与栅极导体电隔离的源极堆叠包括界面层(I层)和源极导体(源极接触)，且同轴地完全包绕所述源极区，沿着所述源极区的至少一部分延伸。所述源极导体与所述源极区之间的所述肖特基势垒为负，从而引起在所述非掺杂半导体源极区中感生一浓度的自由电荷载流子。所述非掺杂源极区与所述源极导体之间的所述界面层确保所述负肖特基势垒且所述晶体管可包括类似于所述源极堆叠的漏极堆叠。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116895686 A
(43)申请公布日 2023.10.17
(21)申请号 202310709636.2 (51)Int.Cl .
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