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- 2023-10-18 发布于四川
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提供一种半导体器件。该半导体器件包括基板和堆叠结构，在该堆叠结构中多个绝缘层和多个电极层交替地堆叠在基板上。半导体器件包括穿过堆叠结构的多个虚设沟道结构。此外，半导体器件包括接触结构，该接触结构与所述多个虚设沟道结构中的与其相邻的至少一个接触，并与所述多个电极层中的一个接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111312715 A
(43)申请公布日
2020.06.19
(21)申请号 20191
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