像素隔离结构及其制备方法、图像传感器.pdfVIP

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2023-10-18 发布于四川
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像素隔离结构及其制备方法、图像传感器.pdf

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本发明涉及一种像素隔离结构及其制备方法、图像传感器。像素隔离结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底之上形成图形化光刻胶层，图形化光刻胶层具有第一开口，第一开口暴露出衬底的上表面；基于第一开口对衬底进行第一离子注入，以于衬底内形成第一区域；基于第一开口去除部分图形化光刻胶层，以增大第一开口的尺寸形成第二开口；基于第二开口对衬底进行第二离子注入，以于衬底内形成第二区域；第二区域的注入离子为非施主离子或非受主离子，第二区域围绕第一区域设置；第一区域与第二区域共同构成像素隔离结构。本发明的像素隔离结构的制

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116895671 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202311163051.1 (22)申请日 2023.09.11 (71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司地址