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- 2023-10-18 发布于四川
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本申请涉及半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件1包括：包括上表面的半导体衬底50；沟槽电极22，设置在形成在上表面上的沟槽20内；以及沟槽绝缘膜21，设置在沟槽电极22和半导体衬底50之间。半导体衬底50包括：第一导电类型的第一半导体层，到达第一半导体层的沟槽电极22的下端；第二导电类型的深层19，部分地设置在第一半导体层上并且与沟槽绝缘膜21接触；第二导电类型的第二半导体层，设置在第一半导体层上和深层19上并且与沟槽绝缘膜21接触；以及第一导电类型的第三半导体层，设置在深层19之上的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109037320 A
(43)申请公布日
2018.12.18
(21)申请号 20181
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