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2023-10-18 发布于四川
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公开了集成电路器件。所述集成电路(IC)器件包括：下电极，在基底上，下电极包括包含第一金属的含金属膜；介电膜，覆盖下电极；以及上电极，面向下电极，介电膜在上电极与下电极之间。下电极包括：主下电极层，不包括与第一金属不同种类的金属掺杂剂，主下电极层与介电膜间隔开；以及界面下电极层，与介电膜接触，并且包括第一金属掺杂剂和第二金属掺杂剂。第一金属掺杂剂处于第一价态并且包括不同于第一金属的第二金属。第二金属掺杂剂处于小于第一价态的第二价态，并且包括不同于第一金属和第二金属的第三金属。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116896872 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310261597.4 (22)申请日 2023.03.17 (30)优先权数据 10-2022-0039178