微机习题重点.docxVIP

〔习题5.10〕 什么是同步时序、半同步时序和异步时序？ 〔解答〕 同步时序：总线操作的各个过程由共用的总线时钟信号控制。 半同步时序：总线操作仍由共用的总线时钟信号控制，但慢速模块能够经过等候信号让迅速模块等候。 异步时序：总线操作需要握手（Handshake）联系（应答）信号控制，总线时钟信号无关紧要。 〔习题5.15〕 简述USB总线的主要特色？ 〔解答〕 使用方便、扩大能力强。 支持多种传输速度、合用面广。 低功耗、低成本、占用系统资源少。 〔习题6.8〕 DRAM为何要刷新，储存系统怎样进行刷新？ 〔解答〕 DRAM以单个MOS管为基本储存单元， 以极间电容充放电表示两种逻辑状态。 因为极间电容的 容量很小，充电电荷自然泄露会很快致使信息丢掉， 因此要不停对它进行刷新操作、 即读取原内 容、放大再写入。 储存系统的刷新控制电路供给刷新行地点，将储存 DRAM芯片中的某一行选中刷新。实质上， 刷新控制电路是将刷新行地点同时送到储存系统中所有 DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时 进行一行的刷新操作。 刷新控制电路设置每次行地点增量，并在一准时间间隔内启动一次刷新操作，就可以保证所有 DRAM芯片的所有储存单元获得实时刷新。 习题6.11〕 什么是储存器芯片的全译码和部分译码？各有什么特色？ 〔解答〕 全译码：使用所有系统地点总线进行译码。 特色是地点独一，一个储存单元只