硅集成电路制造工艺绪论.pptxVIP

硅集成电路制造工艺绪论;;;;;绪论;?早在1830年，科学家已于实验室展开对半导体的研究。 ? 1874年，电报机、 和无线电相继发明等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。?;基本器件的两个发展阶段;什么是集成电路制造工艺;微电子工业生产过程图;npn-Si双极型晶体管芯片工艺流程----硅外延平面工艺举例;2 集成电路制造工艺发展历程;合金结晶体管;W. Shockley;不足之处: 可靠性低、噪声大、放大率低等缺点;1958年在美国的德州仪器公司和仙童公司各自研制出了集成电路，采用的工艺方法是硅平面工艺。;平面工艺发明人：Jean Hoerni －－ Fairchild;扩散 光刻;平面工艺基本光刻步骤;应用平面工艺可以实现多个器件的集成;Jack Kilby’s First Integrated Circuit;(Fairchild Semi.);仙童（Fairchild）半导体公司;J. Kilby－TI 2000诺贝尔物理奖;60年代的出现了外延技术，如：n-Si/n+-Si，n-Si/p-Si。一般双极电路或晶体管制作在外延层上。 70年代的离子注入技术，实现了浅结掺杂。IC的集成度提高得以实现。 新工艺，新技术，不断出现。（等离子技术的应用，电子束光刻，分子束外延，等等）;张忠谋：台湾半导体教父 ;戈登-摩尔提出摩尔定律;简短回顾：一项基于科学的伟大发明; SSI?(小型集成电路)，晶体管数?10~100，门数10???MSI?(中型集成电路)，晶体管数?100~1,000，10门数100 ??LSI?(大规模集成电路)，晶体管数?1,000~100,000，门数100??VLSI?(超大规模集成电路)，晶体管数?100,000~?1,000,000 ULSI (特大规模集成电路) ，晶体管数1,000,000 GSI(极大规模集成电路) ，晶体管数109 ，Grand Scale Integration SoC－－system-on-a-chip/SIP－－system in packaging;摩尔定律（Moore’s Law);Explosive Growth of Computing Power;2003 Itanium 2? ;由欧洲电子器件制造协会（EECA）、欧洲半导体工业协会（ESIA）、日本电子和信息技术工业协会（JEITA）、韩国半导体工业协会（KSIA）、台湾半导体工业协会（TSIA）和半导体工业协会（SIA）合作完成。;器件几何尺寸：Lg，Wg，tox，xj →×1/k 衬底掺杂浓度N →×k 电压Vdd →×1/k ? 器件速度 →×k 芯片密度 →×k2;NEC;电子产品发展趋势：更小，更快，更冷 现有的工艺将更成熟、完善；新技术不断出现。当前，光刻工艺线宽已达0.045微米。由于量子尺寸效应，集成电路线宽的物理极限约为0.035微米，即35纳米。 另外，硅片平整度也是影响工艺特征尺寸进一步小型化的重要因素。 微电子业的发展面临转折。上世纪九十年代纳电子技术出现，并越来越受到关注。 ;近10年来 ，“轻晶圆厂”（fab-light）或“无晶圆厂”（fabless）模式的兴起，而没有芯片设计公司反过来成为IDM（Integrated Device Manufacturer） 。 5年前英特尔做45纳米时，台积电还停留在90纳米，中间隔了一个65纳米。但到45纳米，台积电开始“抢先半步”。即遵循“摩尔定律”的英特尔的路线是45、32、22纳米，台积电的路线则是40、28、20纳米。 ;3 集成电路工艺特点及用途;超净环境 ;;21世纪硅微电子技术的三个主要发展方向 特征尺寸继续等比例缩小 集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC)---- SoC是一个通过IP设计复用达到高生产率的软/硬件协同设计过程 微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科，例如MEMS、DNA芯片等----其核心是将电子信息系统中的信息获取、信息执行与信息处理等主要功能集成在一个芯片上，而完成信息处理处理功能。;工艺课程学习主要应用;4 本课程内容;讲课内容：;教材与参考书;考试与课程评定 ;本节课主要内容;9、静夜四无邻，荒居旧业贫。9月-239月-23Thursday, September 14,