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一种基于碲-二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-10-21 发布于四川
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一种基于碲-二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种基于碲‑二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法，包括两端电极和二维材料异质结层以及基底，所述两端电极为镍金电极，所述二维材料异质结层材料包括二硫化钼纳米片和二维碲纳米片，所述基底为有一层二氧化硅的硅基底，光电人工突触的制备方法，包括以下步骤：提供亚碲酸钠、PVP粉末、一水合肼、氨水为原材料，以一定配比溶解于去离子水中，通过水热法得到碲纳米片，将所述碲纳米片分散在溶剂中形成碲纳米片分散液，将所述碲纳米片滴铸在基底上；提供二硫化钼原料，使用机械剥离法得到二硫化钼纳米片，将所述二硫化钼

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116914015 A (43)申请公布日 2023.10.20 (21)申请号 202310831931.5 (22)申请日 2023.07.07 (71)申请人 电子科技大学 地址 610000

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