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本发明公开了一种具有纳米晶/非晶复合结构或单一非晶结构的AlCrTiSiN复合涂层及其制备。该涂层采用脉冲直流磁控溅射和射频直流磁控溅射复合技术沉积而成，靶材选用AlCrTi合金靶与单质Si靶。合金靶与直流电源连接，单质Si靶与射频电源连接。镀膜时开启AlCrTi合金靶，调整偏压至‑20～150V并将真空室压强调至0.3～1.0Pa，沉积AlCrTi过渡层，沉积时间10～30min。保持AlCrTi开启并通入反应气体N2，开启Si靶沉积AlCrTiSiN纳米复合涂层。本发明研制的AlCrTiSi
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116904923 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202211462027.3
(22)申请日 2022.11.22
(71)申请人 天津职业技术师范大学（中国职业
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