基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法.pdfVIP

2023 年 9 月 电 工 技 术 学 报 Vol.38 No. 18 第 38 卷第 18 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Sep. 2023 DOI: 10.19595/ki.1000-6753.tces.221402 基于Si 和SiC 器件的混合型级联多电平 变换器及其调控优化方法 任 鹏 涂春鸣 侯玉超 郭 祺 王 鑫 （国家电能变换与控制工程技术研究中心（湖南大学） 长沙 410082 ） 摘要 针对现有级联型多电平变换器器件多、损耗大、功率密度低等问题，该文提出一种基 于Si 和SiC 器件的混合型级联多电平变换器（HCMC ）拓扑结构。HCMC 由全Si IGBT 器件的中 性点钳位（NPC ）型三电平单元与由Si IGBT、SiC MOSFET 器件混合的级联H 桥（CHB ）单元 串联构成。针对此拓扑提出一种特定的高低频混合调制策略，充分发挥SiC MOSFET 开关损耗低、 Si IGBT 通态损耗低的优势，并对