尼曼 半导体物理与器件第八章.pptVIP

第八章 pn结二极管 * （8）短二极管 前面分析中，假设理想pn结二极管n型区和p型区的长度远大于少子扩散长度。实际pn结中，往往有一侧的长度小于扩散长度，如下图所示，n型区的长度WnLp。此时n型区中过剩少子空穴的稳态输运方程为： 第八章 pn结二极管 * x=xn处的边界条件仍为： n型区另一边界条件需修正：假设x=xn+Wn处为欧姆接触，即表面复合速度无穷大，因此过剩载流子浓度为零。即： 对于上述关于n型区中过剩少子空穴的稳态输运方程，其解的形式仍为： 利用上述两个边界条件，可得稳态输运方程解为： 第八章 pn结二极管 * 对于WnLp的条件，将上式进一步简化： 则稳态输运方程最终的解为： 由上式可见，短n型区中过剩少子空穴浓度呈线性分布。n型区中少子空穴的扩散电流密度为 由此可见：短n型区中，少子空穴的扩散电流密度保持不变，即在短n型区中少子空穴的复合作用基本上可忽略不计。 第八章 pn结二极管 * 势垒高度和载流子浓度的关系?偏压对空间电荷区边界处注入的非平衡载流子浓度的调制?理想pn结电流-电压关系。 正偏pn结，正偏电流大小随正偏电压的增加而指数增加；反偏时，趋于饱和。 随温度升高，反偏饱和电流增大，相同正向电流偏压降低。 当pn结二极管中性区长度远小于扩散长度时为短二极管，扩散区缩短，扩散区内的复合作用可忽略。 小 结 第八章 pn结二极管 * 8.2 产生