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本发明属于半导体技术领域，公开了一种碳化硅沟槽栅MOSFET的制备方法。本发明将P型外延作为MOSFET的P阱，省去了传统方法的P阱的高温铝注入，节约高温离子注入产能。P型外延同时作为保护沟槽底部栅氧的深P阱，深P阱的深度由P型外延的厚度决定，突破传统高温高能注入设备的能力的限制。外延的厚度增加使得深P阱的深度增加，有效降低了沟槽底部的电场强度，保护沟槽底部栅氧，提高栅氧可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936620 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311182072.8 H01L 29/78 (2006.01)
(22)申请日 2023.09.
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