半导体中的杂质和缺陷课件.pptxVIP

第二章 半导体中的 杂质和缺陷 理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允 带和禁带—— 电子能量只能处在允带中的 能级上，禁带中无能级。 心本征半导体—— 晶体具有完整的(完美的) 晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激 发提供载流子。 实际半导体： 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在 杂质或缺陷周围引起局部性的量子态—— 对应的能级常常处在禁带中，对半导体的 性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 心杂质半导体 一、杂质存在的方式 ¨ 1、杂质存在方式 金刚石结构Si中，一 个晶胞内的原子占晶 体原胞的34%，空隙 占66%。 冬2-1 元素半导体中的杂质能级 .杂质——与本体元素不同的其他元素 (2) 替位式→杂质占据格点 位置。大小接近、电子 壳层结构相近 (1) 间隙式→杂质位于间 隙位置。 L i：0.068nm Si：r=0.117nm B：r=0.089nm P：r=0.11nm Li Si Si Si Si Si P 二、元素半导体的杂质 1. VA族的替位杂质——施主杂质 在硅Si中掺入P 磷原子替代硅原 子后，形成一个 正电中心P＋和一 个多余的价电子 束缚态—未电离 离化态—电离后 i P i S i