1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

场效应晶体管.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.41万字
  • 约 15页
  • 2023-10-28 发布于四川
  • 举报

场效应晶体管.pdf

    一种场效应晶体管(10)，其具有多个p型深层(36)。所述p型深层从体层(34)向下侧突出，以在从上侧观察半导体基板(12)时与沟槽(14)交叉的方式延伸，且在位于所述体层的下侧的所述沟槽的侧面及底面与栅极绝缘膜(16)相接。所述各p型深层具有低浓度区域(36a)和高浓度区域(36b)。所述各低浓度区域从下侧与所述体层相接，且在位于所述体层的下侧的所述沟槽的所述侧面与所述栅极绝缘膜相接。各高浓度区域从下侧与对应的所述低浓度区域相接。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116964753 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202180095363.6 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >