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- 2023-10-28 发布于四川
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本申请提供了一种SRAM器件及其制作方法,涉及半导体技术领域。该SRAM器件包括负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管,首先提供一衬底,接着基于衬底定义负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的有源区并形成浅槽隔离,再基于负载晶体管的有源区表面进行氧离子注入,以减小负载晶体管的顶角圆滑程度,并增加负载晶体管的有源区上方的氧化层厚度,之后对负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的有源区进行沟道掺杂,接着对负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的表面进行处理,并露出有源区,最后基于负载晶体管、传输晶体管以及驱
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116963493 A
(43)申请公布日 2023.10.27
(21)申请号 202310957862.2
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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