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- 2023-10-28 发布于四川
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本实用新型公开了一种新式真空封装半导体器件，其包括封装外壳、半导体晶片及第一、二金属引线，半导体晶片位于封装外壳的密闭腔室内；封装外壳包括金属陶瓷管及第一、二金属盖板电极，第一金属盖板电极通过第一焊接组件密封焊接于金属陶瓷管的一端部，第二金属盖板电极通过第二焊接组件密封焊接于金属陶瓷管的另一端部；第一金属盖板电极与半导体晶片的一接电端焊接，第二金属盖板电极与半导体晶片的另一接电端焊接；第一金属引线焊接于第一金属盖板电极外表面，第二金属引线焊接于第二金属盖板电极外表面；密闭腔室内填充有包覆半导体晶
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219917133 U
(45)授权公告日 2023.10.27
(21)申请号 202321150792.1 H01L 23/26 (2006.01)
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