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本申请公开了一种磁隧道结,涉及磁性存储器领域,用于磁性随机存储器。磁隧道结包括种子层、钉扎层,钉扎层包括在远离种子层方向上交替层叠的磁性单元层和金属单元层;距离种子层最近的金属单元层的厚度大于其余任一金属单元层的厚度,且具有[111]晶体结构。本申请钉扎层中包括多个交替层叠的磁性单元层和金属单元层,对于所有的金属单元层,距离种子层最近的金属单元层的厚度最厚,且具有[111]晶体结构,可以增强钉扎层的垂直磁各向异性,其余金属单元层的厚度较薄,可以减弱金属单元层中金属材料向势垒层的扩散,降低薄膜粗糙
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116963580 A
(43)申请公布日 2023.10.27
(21)申请号 202210378927.3
(22)申请日 2022.04.12
(71)申请人 浙江驰拓科技有限公司
地址 31
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