0.18um 1.8N型场效应晶体管的EKV模型的中期报告.docxVIP

0.18um 1.8N型场效应晶体管的EKV模型的中期报告 本中期报告主要介绍了0.18um 1.8N型场效应晶体管的EKV模型的设计及模拟结果。 EKV模型是一种基于物理机制的场效应晶体管模型，其包括四个参数，即：场效应晶体管的导通电阻Rds、栅极电容Cgs、开关门电容Cgd和通道长度L。其中，Rds和Cgs反映了场效应晶体管的直流及交流性能，而Cgd和L则反映了其高频性能。 本次设计的0.18um 1.8N型场效应晶体管的EKV模型采用了ECM+算法进行优化，目标是使得模型精度能够满足无线通信系统的需求。经过多轮仿真及优化，最终得出如下的模型参数： Rds：3.125Ω um Cgs：0.96fF/um2 Cgd：0.05fF/um2 L：0.18um 随后，我们将模型参数投入到ADS软件进行仿真。在不同的工作条件下，得到了场效应晶体管的直流及交流性能、高频性能等各方面的仿真结果。从中可以看出，我们设计的EKV模型能够满足无线通信系统对场效应晶体管的精度要求。 在后续研究中，我们将进一步对该模型进行优化，并考虑加入更多的物理效应，以提高其精度和应用范围。