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半导体衬底中的缝隙应力调制.pdfVIP

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  • 2023-11-01 发布于四川
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半导体衬底中的缝隙应力调制.pdf

    一种用于调制半导体衬底中的缝隙应力的公开示例，其包括：控制第一过程以将第一材料应用于半导体衬底。半导体衬底包括相邻堆叠式晶体管层之间的缝隙。第一材料涂覆缝隙的壁以将相邻堆叠式晶体管层之间的缝隙的第一宽度减小到第二宽度。控制第二过程以将第二材料应用于半导体衬底。第二材料将被沉积在缝隙的第二宽度中。第一材料和第二材料将在相邻堆叠式晶体管层之间的缝隙中形成固体结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108701644 A (43)申请公布日 2018.10.23 (21)申请号 20178

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