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MPCVD法制备纳米金刚石薄膜及其掺硼研究的中期报告 本文介绍了MPCVD法制备纳米金刚石薄膜及其掺硼的研究进展。首先介绍了MPCVD法的原理和优点，然后详细介绍了制备纳米金刚石薄膜的步骤和常见的掺杂方法。接着，重点介绍了掺硼纳米金刚石薄膜的研究进展，包括掺硼对纳米金刚石薄膜结构解析和电学性能的影响。最后，对该领域未来的研究方向进行了展望。 目前，MPCVD法是制备纳米金刚石薄膜的主要方法之一。该方法具有工艺简单、制备周期短、降低成本等优点。制备纳米金刚石薄膜的关键在于选择合适的基板、控制反应条件和优化表面质量。其中，常见的基板有硅、石墨和氮化硅等。掺杂可以实现对纳米金刚石薄膜电学特性的调控。常见的掺杂元素有硼、氮、氧等。其中，掺硼纳米金刚石薄膜因为硼的电子亲和力大、能带宽度小等特点，具有优异的电学性能，在半导体器件中具有广泛的应用前景。 掺硼纳米金刚石薄膜的研究进展主要包括以下几方面。首先，对掺硼后纳米金刚石薄膜的结构解析进行了分析，发现硼的掺杂会导致材料晶格扭曲和生长方向发生变化。其次，掺硼对纳米金刚石薄膜电学性能的影响研究较多，包括硼掺杂浓度对薄膜导电性影响、硼掺杂后的能带结构变化等。最后，还有一些新的研究成果，如掺硼纳米金刚石薄膜在生物传感器中的应用等。 未来，掺硼纳米金刚石薄膜的研究方向将进一步深入，包括控制掺杂浓度和深度的方法、新型掺杂元素的探索和应用，以及掺硼金刚石薄膜的器件制备等。同时，还需要进一步研究掺硼纳米金刚石薄膜的电学性能、光学性质和生物应用等方面的问题。