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- 2023-11-04 发布于四川
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多栅极NOR闪存薄膜晶体管(TFT)串阵列(“多栅极NOR串阵列”)被组织为与硅衬底的表面平行延伸的水平有源带堆，其中每堆中的TFT由沿着有源带堆的一个或两个侧壁设置的垂直局部字线控制。每个有源带至少包括在两个共享源极或漏极层之间形成的沟道层。有源带的TFT中的数据存储由设置在有源带和由相邻局部字线提供的控制栅极之间的电荷存储元件提供。取决于是否使用有源带的一侧或两侧，每个有源带可以提供属于一个或两个NOR串的TFT。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114242731 A
(43)申请公布日 2022.03.25
(21)申请号 202111391363.9 G11C 8/14 (2006.01)
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