1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

三维存储器及其制造方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.95万字
  • 约 25页
  • 2023-11-04 发布于四川
  • 举报

三维存储器及其制造方法.pdf

    本申请涉及一种三维存储器及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的多个栅极层或伪栅极层，以及多个绝缘层，所述多个栅极层或伪栅极层包括顶部选择栅极层或顶部选择伪栅极层；以及在所述半导体结构中形成顶部选择栅极切线，其中所述顶部选择栅极切线在顶部选择栅极层或顶部选择伪栅极层中具有多个断开区，所述多个断开区的位置对应于所述顶部选择栅极切线下方的虚设沟道结构的位置。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111968988 A (43)申请公布日 2020.11.20 (21)申请号 202010884305.9 (22)申请日 2020.08.28 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >