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本发明提供一种发光二极管元件及其制造方法及发光装置,发光二极管元件中,外延结构的第二半导体层结构具有第一表面和第二表面,第一表面与有源层接触,第二表面与第一表面相对设置并且远离有源层;反射结构形成在第二半导体层结构的第二表面一侧;第二半导体层结构的第二表面的表面粗糙度小于等于5nm。该表面粗糙度使得第二半导体层结构靠近反射结构第二表面更加平整,因此在其上形成的反射结构也形成为表面粗糙度小于等于5nm的结构,由此可以大幅度提高反射结构的反射率。同时该表面粗糙度还能够增加反射结构与外延结构的附着性,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116995173 A
(43)申请公布日 2023.11.03
(21)申请号 202310957202.4
(22)申请日 2023.08.01
(71)申请人 天津三安光电有限公司
地址 30
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