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一种管壳封装植球植柱前处理方法.pdfVIP

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  • 2023-11-04 发布于四川
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一种管壳封装植球植柱前处理方法.pdf

    本发明公开了一种管壳封装植球植柱前处理方法，包括对半导体器件的陶瓷管壳焊盘进行预处理，去除焊盘表面多余物；将经过预处理后的半导体器件放入激光清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行激光清洗；将半导体器件置于等离子清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行等离子活化。通过利用激光清洗的方式去除半导体器件的陶瓷管壳焊盘表面污染物，裸露出洁净的焊盘表面进行下一步的焊接工作，避免了污染物导致的有效焊接面积下降或者弱连接的问题，并且不会对陶瓷电路产生其余附加的损伤，能够显著的提高工作效率，可实现高强度的植球/植柱工艺，降低了陶

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115488074 A (43)申请公布日 2022.12.20 (21)申请号 202211203141.4 B08B 13/00 (2006.01) (22)申请日 2022.09.

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