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本发明提供的一种LED芯片及其制备方法，通过在N型GaN层、有源层以及P型GaN层表面沉积侧壁保护层，可以阻挡反射层中活泼金属的横向移动，降低漏电的可能性，另外，在侧壁保护层、电流扩展层、第一绝缘保护层以及P型GaN层裸露部分沉积有布拉格反射镜层，具体的，布拉格反射镜层和侧壁保护层的配合，可以使原来在N型GaN层和P型GaN层交界地方的光损失，通过布拉格反射镜层反射，将原来损失的光反射回去，并从出光面出光，从而提高发光效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116995168 A
(43)申请公布日 2023.11.03
(21)申请号 202311003549.1
(22)申请日 2023.08.10
(71)申请人 江西兆驰半导体有
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