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gaas单晶激光二极管生长技术 1 vb晶体生长法 gaas祖母是一种重要的化合物半夏材料。由于其直接的带槽结构，它具有较高的发光效率。因此,在光电器件的研制与生产中得到了广泛应用。VB技术是20世纪80年代中后期成熟的GaAs体单晶生长技术。它利用了HB(horizontal bridgman)技术的原理,将水平走车方式改成了垂直走车方式。它与HB工艺相比,可直接生长圆柱形晶体,有效地降低成本、提高晶片参数的均匀性;与VGF(vertical gradient freeze)工艺相比,具有设备结构简单、易于调控的优点;与LEC(liquid encapsulated czochralski)工艺相比,具有位错密度低的优势等。因此,对于光电器件用低阻低位错GaAs材料的拉制,VB工艺是目前较为理想的晶体生长方式。本文介绍了VB-GaAs单晶的生长原理和生长技术。 2 温度差的影响 VB法GaAs晶体的生长过程,是通过热场建立一定的温度梯度,随着坩埚由高温区逐渐向低温区移动而进行的。然而,由于这个温度梯度的形成,必然导致固-液界面热传输情况的变化。如图1所示。 在晶体生长过程中,如果高、低温区温度控制不当,就会引起晶体生长速度的变化,使固-液界面的位置发生移动。当高温区和低温区的温度相差很小时,晶体生长速度小于坩埚下降速度,固-液界面就要向低温区移动。这种情况下,晶体很大部分以凹面生长(见图1中的曲线2),生长出来的晶体常有云层和杂质,甚至出现气泡。当高温区和低温区的温度相差很大时,晶体生长速度则大于坩埚下降速度,随着坩埚的下降,固-液界面就要向高温区上部移动。在这种情况下,固-液界面呈现很大的凸起形状(见图1中的曲线3),生长出来的晶体也会有较大的气泡和云层。只有当高温区和低温区的温度差适宜,晶体生长速度与坩埚下降速度大体一致,在整个晶体生长过程中,固-液界面相对位置变化不大,且界面一直保持微凹或平坦的形状时(见图1中的曲线1和4),生长出的晶体的均匀性和完整性才较好。 2.1 晶体生长速率ldzd 假定生长界面为熔点温度恒定的等温面,在固-液界面处的热流包括三个部分(见图1)。根据能量守恒定律,热流输运方程表示为 QL+QLS=QS(1) 式中:QL为单位时间内由熔体传递给界面的热量;QLS为单位时间内在界面上因晶体生长所放出的潜热;QS为单位时间内由界面传递给晶体的热量。其表达式为 QL=AKL(dTdz)LQLS=Ldmdt=LAρS(dzdt)QS=AKS(dTdz)SQL=AΚL(dΤdz)LQLS=Ldmdt=LAρS(dzdt)QS=AΚS(dΤdz)S 式中:KS,KL分别代表晶体、熔体的热导率;(dTdz)L,(dTdz)S(dΤdz)L,(dΤdz)S分别代表熔体、晶体的轴向温度梯度;dzdtdzdt为晶体生长速率;dmdtdmdt为单位时间内生长的晶体质量;L为结晶潜热;ρS为晶体密度;A为界面面积。 将表达式代入式(1),有 AKS(dTdz)S=AKL(dTdz)dzdt+LAρS(dzdt)dmdt(2)AΚS(dΤdz)S=AΚL(dΤdz)dzdt+LAρS(dzdt)dmdt(2) 由式(2)可求得 dzdt=1ρSL[KS(dTdz)S?KL(dTdz)L](3)dzdt=1ρSL[ΚS(dΤdz)S-ΚL(dΤdz)L](3) 从式(3)中可以看出,对于给定的结晶物质,决定晶体生长速率的主要因素是晶体、熔体中的轴向温度梯度。在实际晶体生长过程中,由于固体GaAs的热导率比较小,将晶体生长速率控制在一定范围内,基本可保证固-液界面的形状。由式(2)得 A=QS?QLρSLdzdt(4)A=QS-QLρSLdzdt(4) 从式(4)可以看出,在保持晶体等径生长的前提下,如欲提高晶体的生长速率,可采取加大晶体的QS值或降低熔体的QL值。如果保持晶体生长速率不变,欲使晶体的直径加大,可降低熔体的QL值。对于一定成分的晶体材料来说,当晶体的生长速率不变时,要求晶体作等径生长,那么只有维持QS-QL为恒定值才能得到,但要维持QS-QL为恒定值,对生长工艺条件的要求是十分严格的。 2.2 热流qc与界面的形状 固-液界面的形状,除受晶体的拉速、转速和晶体尺寸等因素的影响外,还主要取决于界面处热量输运的情况,如图2。若界面处晶体的径向热流QR传递给晶体周围的环境时,晶体中心的轴向热流QC必然大于晶体边缘的轴向热流QL,即QCQL,此时晶体中的等温面T1(图2(a))与界面的形状均呈凸形(凸向熔体);若径向热流QR是由晶体的周围环境输运给晶体(有后加热器存在时,会发生这种情况),这时QCQL,那么晶体中的等温面T2(图2(b))与界面形状均呈凹形(凹向晶体);若晶体与周围环境处于热平衡状态,即QC=QL,