x射线衍射法制备半绝缘砷化的研究.docxVIP

x射线衍射法制备半绝缘砷化的研究 x射线衍射仪利用x射线渗透能力强的特点，在不破坏样品的情况下测试样品的内部结构。X射线形貌技术(X Ray Diffraction Topography)简称XRT。它是利用晶体完整区和不完整区X射线衍射强度的差异(消光反差),晶体不同区域衍射方向的差异(取向反差),来直接显示晶体内部缺陷的一种方法。 随着3G手机的发展,无线移动通讯技术带动砷化镓微电子产业的发展,半绝缘砷化镓(SI-GaAs)成为无线移动通讯时代的关键基础材料。GaAs单晶在追求大直径化的同时,对晶体本身的完整性、均匀性提出愈来愈高的要求。 1 晶体开放系的运动学分析 X射线衍射研究的对象是带有镶嵌结构的不完整晶体,强度计算可以用X射线运动学理论处理。它忽略衍射波的次级散射作用,把从样品中每个体积元发出的X射线看成与另一个体积元发生的散射互不相关。仅考虑非相干X射线离开该体积元时,由于光电吸收而出现损耗的情况。对于镶嵌结构,由于点阵畸变较大,X射线入射波K0?→?Κ0→与衍射波K?Κ→之间相干作用破坏,用运动学的简单方式处理符合实际情况。 对近完整晶体,K0?→?Κ0→波与K?Κ→波的相干作用不可忽略。当入射波K0?→?Κ0→以布拉格角θ入射到一组(hkl)晶面上,将在该组晶面上产生衍射,衍射波为K?Κ→。而下层晶面的衍射又以θ角射到上层的(h??k??l?)(h→?k→?l→