薄膜传感器课件.pptxVIP

薄膜传感器 在基底材料上用物理或化学的方法制成敏感材料薄层（几百nm~几µ m）。 薄膜热传感器、应变片、气敏传感器。 第一节 薄膜热传感器 传统的测温元件：热电阻、热敏电阻、电偶 介绍两种：金属薄膜热电阻、多晶硅薄膜热电阻。 一、金属膜热电阻 用铂粉沉积在陶瓷基片上，厚度2µ m。 封装：SMD型和引线型。 结构图如下： Rt=R0[1+at-bt2-ct3（t-100）] （8-1） α =（Rt-R0）/（△t·R0） （8-2） 标称电阻值有100Ω 、500Ω 、1000Ω 二、多晶硅薄膜热电阻 随着微系统（MEMS）技术的发展而产生。 特点：应变系数大，高温特性好。 将信息的获得、处理和执行部分一体化集成在同一硅衬底上，形成真正的系统。 电阻率高于单晶硅。 多晶硅薄膜热结晶结构示意图： L-2W 2W 电阻率：ρ =-----------ρg+---------ρb L L 第二节 薄膜应变片 一、薄膜应变片简介 传统应变片：用金属丝粘贴或硅扩散（粘贴）的办法制作。 特点：价格便宜、结构简单、使用方便，但由于粘贴式工艺带来敏感层与基片之间的形变传递性能不好，影响了测量精度。