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低相位噪声vcommini芯片压控振荡控制器 低噪声特性应用研究 随着军事和民用电子技术的发展，丝状波束指令的广泛应用于许多领域。低相噪压控振荡器是毫米波通信系统中的关键元件,为了降低相位噪声,通常情况选择闪烁噪声小的HBT工艺, SiGe基HBT技术及GaAs HBT技术在毫米波低相噪压控振荡器领域往往扮演着主要角色,但其工作频率受到一定限制。 近年来,InP材料以其高频率低噪声的特性而备受关注,众多学者对其在毫米波VCO领域的研究做出了大量的研究和探索。主要有:(1)InP HBT技术;(2)InP谐振隧穿二极管(RTD,Resonant tunneling diode)技术;(3)InP HEMT技术;(4)GaAs MHEMT(MHEMT,Metamorphic HE-MT)技术。尽管InP HBT、 InP RTD 和InP HEMT具有良好的相位噪声能力,但InP衬底材料的高昂价格限制了其目前的应用范围。GaAs MHEMT技术以GaAs材料作为衬底材料,加入变性层(Metamorphic layer)缓变来形成与InP HEMT完全相同的有源层结构,是GaAs衬底上的InP HEMT技术,在保持InP HEMT器件高性能的条件下大大降低了研究和生产成本,近年来逐渐受到重视,具有良好的应用潜力。 文中采用南京电子器件研究所开发的0.15 μm GaAs MHEMT工艺