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in0g3a07as材料的结构表征及表面改性 大失配缓冲层技术 由于电子传输率高，大型局地物-l的带性材料-具有较高的电子传输率、较大的谷带-l的能源性，以及特定范围内的区域间隙（0.36.1.42ev）。它在光刻件件业中得到了广泛应用。过去它们通常应用于近红外激光器、光电探测器、高电子迁移率晶体管以及异质结晶体管等器件,而近年来随着GaAs基多结电池的发展,这种晶格失配的InGaAs材料在GaAs多结电池的应用中已取得了较大的进展,多结太阳能电池制造厂商Emcore公司已采用这种晶格失配的InGaAs材料作为第三和第四结子电池获得了转换效率高达33.8%(AM0)的四结太阳能电池。但是,由于GaAs和InAs之间具有较大的晶格失配(△a/a=7.16%),直接将InGaAs生长在GaAs衬底上通常会导致材料体内产生大量的位错、缺陷以及表面起伏,从而恶化器件的性能。因此,为了获得高质量的InGaAs材料,通常需要采用各种缓冲层技术。常用的缓冲层技术有组分渐变、组分跳变、组分逆变等技术,但是这些方法需要生长较厚(微米量级)的缓冲层来过滤位错和释放应力,不适合大规模的工业化生产。提出了一种低温大失配缓冲层技术,缓冲层厚度仅需50 nm。为了比较研究,文中分别采用了低温大失配缓冲层和组分跳变缓冲层技术外延InGaAs材料,结果表明两种方法生长的InGaAs材料具有不同的表面形貌和应力释放机制。 1 外延ingaas材料的生长与生长 InGaAs材料采用AIXTRON 2600 G3低压金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)进行生长。Ⅲ族源为TMGa和TMIn,Ⅴ族源为100%的AsH3,载气为经过钯管纯化的高纯氢气。使用的衬底为50.8 mm的N型GaAs衬底,晶向为偏6°。生长前先将衬底在700℃的高温下烘烤10 min去除表面的氧化层,然后生长300 nm的GaAs缓冲层,生长时反应室压力恒定为6 kPa,Ⅴ/Ⅲ比控制在100左右,生长温度为650℃。接着再采用组分跳变和低温大失配缓冲层作为过渡层外延InGaAs材料,材料结构示意图如图1(a)和(b)所示。对于组分跳变的样品,In组分每隔0.05增加一次,每层厚度约为200 nm,为了保证In0.3Ga0.7As层中的应力能够充分释放,最后一层InGaAs跳变层中的In组分增加至0.35,然后再生长1 μm厚的In0.3Ga0.7As外延层。对于低温缓冲层样品,先在450℃下生长约为50 nm的大失配的In0.6Ga0.4As层,然后再将生长温度升高至650℃生长1 μm的In0.3Ga0.7As材料。生长的InGaAs材料的表面形貌采用金相显微镜进行观察,晶体质量和应力弛豫度采用PANalytical X′pert Pro四晶X射线衍射仪测试得到。 2 大失配缓冲层生长的ingaas InGaAs样品的表面形貌由金相显微镜观察得到,分别示于图2(a)和(b),可见采用两种缓冲层技术生长的样品具有完全不同的表面形貌。采用组分跳变生长的In0.3Ga0.7As表面呈现纵横交错的布纹,称之为“Cross-hatch”形貌。关于这种表面形貌的报道最早出现于GaAsP/GaAs异质结材料体系,后来在其它一些失配材料体系如InGaAs/InP、SiGe/Si等材料中也得到了广泛的研究。早期一些研究认为这种布纹是由位错附近的杂质浓度分布引起材料横向非均匀性生长所致,也有一些学者认为是由于热应力导致了位错的移动,并且晶体在位错附近生长速率不一致导致表面线状起伏。后来随着研究的深入,表明这种Cross-hatch形貌直接与失配位错的产生有关,它是由在001方向相互垂直的失配位错线交错而成。对于组分跳变缓冲层样品,In组分逐层增加,但层与层之间的失配度较小,当每层的InGaAs厚度超过其临界厚度后,将首先产生失配位错来释放部分应力,然后导致Cross-hatch形貌的产生。而对于低温缓冲层生长的InGaAs样品,完全没有这种与失配位错相关的Cross-hatch出现,取而代之的是粗糙起伏的表面形貌。这是因为在这种方法生长的样品中,首先生长一个大失配的In0.6Ga0.4As缓冲层,由于失配度较大,材料将先进行层状生长,然后逐渐过度到岛状生长,即遵循经典的S-K生长模式。但是,对于In组分为0.6的InGaAs材料,其临界厚度仅为10 nm,因此随着厚度增加至50 nm时,材料将通过体内产生大量缺陷以及表面起伏来释放其中的应力,而为了抑制表面起伏,较好的手段就是采用低的生长温度。因此这种低温大失配缓冲层既有利于释放应力,又能够有效地抑制表面的严重起伏。此外,低温下生长材料时,表面原子迁移较慢,外延的晶体原子较为疏松,有利于促使大部分位错钉扎在其中,从而保证后续高温In0.3Ga0.7As层具有较