利用磁控溅射制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研究的中期报告.docxVIP

利用磁控溅射制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研究的中期报告 本项目旨在利用磁控溅射技术制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管，目前已完成中期研究进展，以下是中期报告。 一、研究背景和意义 铟镓锌氧化物（IGZO）是一种新型的半导体材料，具有优良的光电性能和热稳定性能，在显示、光电传感、智能感知等领域具有广阔的应用前景。利用磁控溅射技术制备IGZO薄膜，制备工艺简单、制备过程环保、可重复性好等优点，因此被广泛用于IGZO晶体管器件的制备中。 二、研究进展 1. 溅射工艺研究 采用磁控溅射技术制备IGZO薄膜，对溅射工艺参数进行了研究。实验发现，IGZO薄膜的晶体结构、形貌和光电性能受到溅射功率、氧气流量、靶材转速等多种因素的影响。通过对各参数的调整和组合，获得了较为优良的IGZO薄膜。 2. 晶体管器件制备和测试 采用雷打工艺制备了IGZO晶体管器件，对器件的电学性能进行测试。实验发现，IGZO晶体管表现出较好的电学性能，具有较低的电阻率、较高的迁移率和较小的亚阈值摆幅。但也发现存在漏电流过大等问题，需要进一步优化。 三、下一步计划 1. 优化工艺：继续对磁控溅射工艺参数进行优化，寻求更好的IGZO薄膜制备方法。 2. 改进器件性能：进一步研究IGZO晶体管的性能改进方法，寻求解决漏电流过大等问题的途径。 3. 器件应用研究：在获得较为优良的IGZO晶体管器件后，对其在显示、光电传感、智能感知等领域的应用进行研究。 四、结论 目前已完成对IGZO薄膜晶体管的制备和测试，初步发现磁控溅射技术可作为IGZO薄膜晶体管的一种制备方式。下一步将从工艺优化、器件性能改进和应用研究三个方面深入研究。