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- 2023-11-05 发布于江苏
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若入射光能量为Io,则在距离入射表面x处,光的能量为
- α X
I=loe
α为物体的吸收系数,表示光在物体中传播I/a时,能量因 吸收而衰减到原来的1/e
半导体材料的吸收系数较大, 一般在10-5cm- 1
以上。
半导体材料的光吸收
1
若吸收的能量大于半导体材料的禁带宽度,就有可能 使电子从价带跃迁到导带,从而产生电子一空穴对, 这种吸收为本征吸收。
半导体材料中光的吸收导致了非平衡载流子产生,总的 载流子浓度增加,电导率增大,称为半导体材料的光电
导现象。
半导体材料的光吸收
2
收 | 间接跃迁一半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动
直接跃迁 一半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动
3
本征吸收
激子吸收
载流子吸收
杂质吸收
晶格吸收
光子能量小 于禁带宽度
时,依然有
可能存在吸
收。
半导体材料的光吸收
半导体吸收
4
空穴 P 区 N区 电 子·
空穴 P 区 N 区 电子!
5
· 太阳电池在光照下,能量大于半
导体禁带宽度的光子,使得半导体 中原子的价电子受到激发,在p区、 空间电荷区和n区都会产生光生电 子-空穴对,也称光生载流子。这 样形成的电子-空穴对由于热运动, 向各个方向迁移。
6
· 光生电子-空穴对在空间电荷区中
产生后,立即被内建电场分离,光 生电
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