材料科学概论课件：晶体缺陷.pptVIP

面缺陷 点缺陷 在实际晶体中，由于原子（或离子、分子）的热运动，以及晶体的形成条件，冷热加工过程和其他辐射、杂质等因素的影响，实际晶体中原子的排列不可能那样规则、完整，常存在各种偏离理想结构的情况，即晶体缺陷。晶体缺陷对晶体的性能，特别是对那些结构敏感的性能，如屈服强度、断裂强度、塑性、电阻率、磁导率等都有很大影响。另外，晶体缺陷还与扩散、相变、塑性变形、再结晶、氧化、烧结等都有密切关系。根据晶体缺陷的几何特征，可将它们分为三类： 晶 体 缺 陷 点缺陷 点缺陷是最简单的晶体缺陷，它是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构正常排列的一种缺陷。 晶体点缺陷包括： 空位 置换原子 杂质 间隙原子 材料科学基础 点缺陷引起晶格畸变,能量升高，结构不稳定，易发生转变。 点缺陷的存在会引起性能的变化： (1)物理性质、如R、V、ρ 等； (2)力学性能：采用高温急冷(如淬火 ,大量的冷变形）,高能粒子辐照等方法可获得过饱和点缺陷，如使σS提高； (3)影响固态相变,化学热处理等。 点缺陷对结构和性能的影响 材料科学基础 位错 位错的起源： 位错的概念最早是在研究晶体滑移过程时提出来的。 刚性相对滑动模型： τm = G/30 纯铁：G ≈ 100GPa 纯铁的理论临界切应力：约3000MPa 纯铁的实际屈服强度：10MPa 1934年 Taylor、Orowan、Polanyi提出位错模型， 滑移是通过称为位错的运动而进行的 1950年代 位错模型为试验所验证 现在，位错是晶体的性能研究中最重要的概念。 材料科学基础 位错的间接观测： 若材料中的位错线与材料表面相交（俗称位错“露头”），则交点处附近由于位错应力场的存在，其化学稳定性将低于表面的其它部分。若用酸性腐蚀剂（如氢氟酸和硝酸的混合溶液）对这样的表面进行腐蚀，则位错“露头”处的腐蚀速度将远高于其它部分，可形成一个“腐蚀坑”。再利用一些表面显微观察技术（如扫描电子显微镜、干涉显微镜等等）便可以观察到位错的“露头”位置。图6中展示了在干涉显微镜下，经上述方法制备得到硅片表面位错腐蚀坑的形态，根据腐蚀坑边缘的形状可以确定硅片的晶体学取向——椭圆形代表硅片表面为(100)晶面，三角形代表硅片表面为(111)晶面。 位错的直接观测： 利用透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，简称TEM）可直接观察到材料微结构中的位错。TEM观察的第一步是将金属样品加工成电子束可以穿过的薄膜。在没有位错存在的区域，电子通过等间距规则排列的各晶面时将可能发生衍射，其衍射角、晶面间距及电子波长之间满足布拉格定律（Braggs law）。而在位错存在的区域附近，晶格发生了畸变，因此衍射强度亦将随之变化，于是位错附近区域所成的像便会与周围区域形成衬度反差，这就是用TEM观察位错的基本原理，因上述原因造成的衬度差称为衍射衬度。 在图7和图8中，中间稍亮区域（晶粒）里的暗线就是所观察到位错的像。由于多晶材料中不同晶粒的晶体学取向不同，因此晶粒之间亦存在衬度差别，这就是图7和图8中中间区域较周围区域更亮的原因。值得注意的是，图中位错像所具有的“蜿蜒”的形态，这是位错线在厚度方向穿过试样（薄膜）的位错在TEM下的典型形态；还需注意的是图中位错像的终结处实际上是因为位错线到达了试样表面，而非终结在了试样内部。所有位错都只能以位错环的形式终结于晶粒的内部。 2.3.1 位错的基本类型和特征 1、刃型位错 刃型位错形成过程 原子排列具体模型 多余的半原子面与滑移面的交线就称为刃型位错线 刃型位错线也可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界线 刃型位错的特征 2、螺型位错 3、混合位错 除了上面介绍的两种基本型位错外，还有一种形式更为普遍的位错，其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而是与位错线相交成任意角度，这种位错称为混合位错。 插入混合位错的形成过程动画 2.3.3 位错的运动 位错的运动方式有两种最基本形式: 位错最重要的性质之一是它可在晶体中运动，而晶体宏观的塑性变形是通过位错运动来实现的。晶体的力学性能如强度、塑性和断裂等均与位错的运动有关。 滑移 攀移 2.3.5 位错的生成和增殖 1. 位错的密度 表达式：ρ= l/v 或 ρ= n/A 单位:1/㎡ 2. 位错的生成 晶体中位错来源： (1)晶体生长过程中产生。 (2)晶体中过饱和空位的聚集。 (3)应力集中，产生局部区域滑移产生位错 3. 位错的增殖： 为使F—