霍尔效应测磁场实验报告.docxVIP

WORD WORD 资料可编辑 专业整理分享 专业整理分享 实 验 报 告 学生姓名： 学 号： 指导教师： 实验地点： 实验时间： 一、实验室名称：霍尔效应实验室 二、 实验项目名称：霍尔效应法测磁场三、实验学时： 四、实验原理： （一）霍耳效应现象 H将一块半导体（或金属）薄片放在磁感应强度为 B 的磁场中，并让薄片平面与磁场方向（如 Y 方向）垂直。如在薄片的横向（X 方向）加一电流强度为I 的电流，那么在与 H H磁场方向和电流方向垂直的Z 方向将产生一电动势U 。 H HH H如图 1 所示，这种现象称为霍耳效应，U 称为霍耳电压。霍耳发现，霍耳电压U 与电流强度 I 和磁感应强度B 成正比，与磁场方向薄片的厚度d H H H HU ? R I B H  （1） H d 式中，比例系数 R 称为霍耳系数，对同一材料R 为一常数。因成品霍耳元件（根据霍耳效应制成的器件）的d 也是一常数，故R / d 常用另一常数K 来表示，有 H HU ? KI B H H 式中，K 称为霍耳元件的灵敏度，它是一个重要参数，表示该元件在单位磁感应强度和单位电流作用下霍耳电压的大小。如果霍耳元件的灵敏度K 知道（一般由实验室给出），再测出 电流I 和霍耳电压U ，就可根据式 电流 H H HB ? U H  （3） KI H 算出磁感应强度B。 WORD 资料可编辑 图 1 霍