半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-11-08 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底上具有若干平行排列的沟道结构，沟道结构包括若干垂直堆叠的堆叠结构，堆叠结构包括初始牺牲层和位于初始牺牲层上的初始沟道层；在衬底上形成第一栅极结构，第一栅极结构横跨沟道结构；去除第一栅极结构两侧的部分沟道结构，直至暴露出衬底表面，在沟道结构内形成第一开口；在第一开口暴露出的初始沟道层表面形成阻挡层；采用循环工艺去除第一开口暴露出的部分初始牺牲层，形成牺牲层和位于牺牲层侧壁的凹槽；形成凹槽之后，去除初始沟道层表面的阻挡层，形成沟道层；去除阻挡层之后，在凹

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117012719 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202210468639.7 (22)申请日 2022.04.29 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限