光刻胶底切形貌的制作方法.pdfVIP

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2023-11-08 发布于四川
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光刻胶底切形貌的制作方法.pdf

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本发明公开了一种光刻胶底切形貌的制作方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成一层抗反射层；步骤二，在所述抗反射层的表面再形成一层光刻胶；步骤三，利用灰度光罩曝光使得负性光刻胶底切区域形成光强自上而下分布，曝光区域保留，非曝光区域显影去除，完成底切图形光刻胶图形化。本发明利用抗反射层结合负性光刻胶，在灰度掩膜的曝光条件下，使得光刻胶底切区域的光强呈自上而下的分布，曝光区域保留，非曝光区域显影去除，能形成结构更加符合预期底切图形。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117008413 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310912704.5 (22)申请日 2023.07.24 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地